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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

      20

      通道极性（xìng）：

      N沟道

      封装（zhuāng）/温（wēn）度(℃)：

      TO-220-3/-55~125

      描述：

      600V，190mΩ，20A，N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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